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KSA1013OBU

丝印:A1013;Package:TO-92;PNP Epitaxial Silicon Transistor

文件:323.22 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

KSA1013OTA

丝印:A1013;Package:TO-92;PNP Epitaxial Silicon Transistor

文件:323.22 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

KSA1013YBU

丝印:A1013;Package:TO-92;PNP Epitaxial Silicon Transistor

文件:323.22 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

KSA1013YTA

丝印:A1013;Package:TO-92;PNP Epitaxial Silicon Transistor

文件:323.22 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

A10137

GPS RADIONOVA짰 Co-planar Antenna

文件:1.47442 Mbytes 页数:12 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

A1013Y-2AF

PNP Transistor

晶体管类型:PNP\n集电极电流(lc): 1A\n集射极击穿电压 160V\n耗散功率(Pd): 500mW

FOSAN

富信半导体

A10137

包装:散装 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 天线 描述:RF ANT 1.575GHZ PCB TRACE SLD

ANTENOVA

晶体管资料

  • 型号:

    A1013S

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.9W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    160

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.9

技术参数

  • 集电极电流(Ic):

    -1mA

  • 集射极击穿电压(Vceo):

    -160V

  • 耗散功率(Pd):

    500mW

  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):

    -1.5V

  • 直流电流增益(hFE):

    160mA-320mA

  • 特征频率(fT):

    15MHz

  • 工作温度:

    -55℃~+150℃

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多A1013供应商 更新时间2026-1-23 14:47:00