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RT9011-KNPQV	文件：336.72 Kbytes Page：12 Pages	Marking：A1*；Package：VDFN-82x2；Portable Power Management 300mA Dual LDO Regulator GeneralDescription TheRT9011isadualchannel,lownoise,andlowdropoutregulatorsourcingupto300mAateachchannel.Therangeofoutputvoltageisfrom1.2Vto3.6Vbyoperatingfrom2.5Vto5.5Vinput. Features •WideOperatingVoltageRanges:2.5Vto5.5V •Low-NoiseforRFApplica	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司	RichTek
RT9193-33GU5	文件：208.34 Kbytes Page：12 Pages	Marking：A1=***；Package：SOT-353；300mA, Ultra-Low Noise, Ultra-Fast CMOS LDO Regulator GeneralDescription TheRT9193isdesignedforportableRFandwirelessapplicationswithdemandingperformanceandspacerequirements.TheRT9193performanceisoptimizedforbattery-poweredsystemstodeliverultralownoiseand lowquiescentcurrent.Anoisebypasspinisavailableforfu	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司	RichTek
RT9193-33PU5	文件：208.34 Kbytes Page：12 Pages	Marking：A1-***；Package：SOT-353；300mA, Ultra-Low Noise, Ultra-Fast CMOS LDO Regulator GeneralDescription TheRT9193isdesignedforportableRFandwirelessapplicationswithdemandingperformanceandspacerequirements.TheRT9193performanceisoptimizedforbattery-poweredsystemstodeliverultralownoiseand lowquiescentcurrent.Anoisebypasspinisavailableforfu	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司	RichTek
SI2301B	文件：883.22 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A1SHB；Package：SOT-23；P-Channel 20-V(D-S) MOSFET FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SI2301B	文件：575.18 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A1SHB；Package：SOT-23；MOSFET FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SI2301DS	文件：55.55 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A1***；Package：SOT-23；P-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET PRODUCTSUMMARY VDS(V) rDS(on)(Ω) ID(A) -20 0.130@VGS=-4.5V -2.3 0.190@VGS=-2.5V -1.9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2310A	文件：508.95 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A10；Package：SOT-23；60V N-Channel MOSFET Features VDS(V) ID RDS(ON)GS=10V) RDS(ON)GS=4.5V) =60V =3A 80m(V 95m(V	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SI2310A	文件：328.47 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A10；Package：SOT-23；60V N-Channel MOSFET Features VDS(V)=60V ID=3A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SI2312A	文件：1.79601 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A12；Package：SOT-23；UMW SI2312A Features VDS(V)=20V ID=6A(VGS=4.5V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SI2312A	文件：1.71572 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A12；Package：SOT-23；MOSFET Features VDS(V)=20V ID=6A(VGS=4.5V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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晶体管资料

型号：
A10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
FMA10A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
A1
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
A1
包装：
带
频率：
1MHz ~ 600MHz
P1dB：
-1dBm
增益：
16dB
噪声系数：
2.4dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
15V
电流 - 供电：
9mA
测试频率：
1MHz ~ 600MHz
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
供应商器件封装：
TO-8
描述：
AMPLIFIER,CASCADABLE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	A1	WJ	24+		302	现货供应	询价
北京逸博微科技有限公司	A1				10	优势库存,全新原装	询价
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更多A1供应商更新时间2025-5-25 8:31:00

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