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KTA1268	文件：413.71 Kbytes Page：2 Pages	Marking：A1268；Package：TO-92；EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER, HIGH VOLTAGE) LOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES •LowNoise. :NF=3dB(Typ.),Rg=100Ω,VCE=-6V,IC=-100μA,f=1kHz :NF=0.5dB(Typ.),Rg=1kΩ,VCE=-6V,IC=-100μA,f=1kHz. •HighDCCurrentGain:hFE=200∼700. •HighVoltage:VCEO=-120V. •LowPulseNoise.Low1/fNoi	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MMBD1501A	文件：88.57 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A11；Package：SOT-23；Small Signal Diodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1501A	文件：245.16 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A11；Package：SOT-23；High conductance low leakage diode FEATURES ●Twoelementincorporatedintoonepackage. (Emitter-coupledtransistors) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. APPLICATIONS ●Forgeneralapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBD1503A	文件：245.16 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A13；Package：SOT-23；High conductance low leakage diode FEATURES ●Twoelementincorporatedintoonepackage. (Emitter-coupledtransistors) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. APPLICATIONS ●Forgeneralapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBD1504A	文件：88.57 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A14；Package：SOT-23；Small Signal Diodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1504A	文件：245.16 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A14；Package：SOT-23；High conductance low leakage diode FEATURES ●Twoelementincorporatedintoonepackage. (Emitter-coupledtransistors) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. APPLICATIONS ●Forgeneralapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBD1505A	文件：88.57 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A15；Package：SOT-23；Small Signal Diodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1505A	文件：245.16 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A15；Package：SOT-23；High conductance low leakage diode FEATURES ●Twoelementincorporatedintoonepackage. (Emitter-coupledtransistors) ●Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf. APPLICATIONS ●Forgeneralapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
NJ2301	文件：1.46628 Mbytes Page：5 Pages	Marking：A1SHB；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Features TrenchFETPowerMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PJA3401A_R1_00001	文件：476.94 Kbytes Page：6 Pages	Marking：A1A；Package：SOT-23；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-3.6A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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晶体管资料

型号：
A10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
FMA10A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
A1
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
A1
包装：
带
频率：
1MHz ~ 600MHz
P1dB：
-1dBm
增益：
16dB
噪声系数：
2.4dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
15V
电流 - 供电：
9mA
测试频率：
1MHz ~ 600MHz
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
供应商器件封装：
TO-8
描述：
AMPLIFIER,CASCADABLE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	A1	WJ	24+		302	现货供应	询价
北京逸博微科技有限公司	A1				10	优势库存,全新原装	询价
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深圳市百诺芯科技有限公司	A1	WJ	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市中拓海外电子有限公司	A1	WJ	2023+		7		询价
深圳市亿智腾科技有限公司	A1	WJ	24+	SOT89	18560	假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款	询价
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更多A1供应商更新时间2025-5-22 18:37:00

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