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NDP02N60Z	文件：372.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NDT02N60Z	文件：110.29 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PJM02N60SA	文件：1.44682 Mbytes Page：7 Pages	N-EnhancementModeFieldEffectTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
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SDUD02N60	文件：161.17 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	Samhop 三合微科	Samhop
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更多A02N60I供应商更新时间2024-5-27 16:50:00

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