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CJD02N60	文件：1.16441 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
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CJP02N60	文件：1.12379 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThehighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffi	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP02N60	文件：197.59 Kbytes Page：3 Pages	PowerFiledEffectTransistor GeneralDescription ThehighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffi	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
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CJU02N60	文件：1.92836 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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CMT02N60	文件：328.89 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
CMT02N60	文件：205.04 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTIONFEATURES ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenew	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子	CHAMP
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更多A02N60I供应商更新时间2024-5-27 16:50:00

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