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9R0SN06AL	文件：1.1534 Mbytes Page：6 Pages	型号：FAE9R0SN06AL；Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION DS(ON) TheFAE9R0SN06ALusesSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRwithlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. FEATURES HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON) Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent Goodstability	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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9R0SN06AL

文件：1.1534 Mbytes

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型号：FAE9R0SN06AL；Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS

DESCRIPTION DS(ON) TheFAE9R0SN06ALusesSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRwithlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. FEATURES HighdensitycelldesignforultralowRDS(ON) Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent Goodstability

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更多9R0SN06AL供应商更新时间2025-8-1 16:04:00

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