FAE9R0SN06AL芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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FAE9R0SN06AL	文件：1.1534 Mbytes Page：6 Pages	丝印：9R0SN06AL；Package：DFNWB3X3-8L；Plastic-Encapsulate MOSFETS DESCRIPTION DS(ON) The FAE9R0SN06AL uses SGT technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Fully characterized avalanche voltage and current  Good stability 文件：1.1534 Mbytes 页数：6 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多9R0SN06AL供应商更新时间2026-1-30 16:21:00