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7N65K	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65K	文件：204.95 Kbytes Page：6 Pages	7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65KisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65K	文件：1.10558 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
7N65KG-TA3-T	文件：204.95 Kbytes Page：6 Pages	7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65KisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65KG-TF1-T	文件：204.95 Kbytes Page：6 Pages	7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65KisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65KG-TF3-T	文件：204.95 Kbytes Page：6 Pages	7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65KisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65KG-TQ2-R	文件：204.95 Kbytes Page：6 Pages	7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65KisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65KG-TQ2-T	文件：204.95 Kbytes Page：6 Pages	7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65KisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65KL	文件：1.10557 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
7N65KL-TA3-T	文件：1.10565 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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