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7N65K-MTQ	文件：273.76 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65L	文件：178.46 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65LisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65L	文件：692.23 Kbytes Page：11 Pages	N-channelpowerMOStube Features VDS(V)=650V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
7N65LL	文件：1.10557 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
7N65-M	文件：206.11 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65-MisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65P	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65P	文件：4.24023 Mbytes Page：5 Pages	650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheAP7N65F/PissiliconN-channelEnhanced VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology whichreducetheconductionloss,improveswitching performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem mini	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
7N65-R	文件：347.88 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65-RisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65RD	文件：373.55 Kbytes Page：10 Pages	7A,650VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T)isanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistance,	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
7N65RFJH	文件：373.56 Kbytes Page：10 Pages	7A,650VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T)isanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistance,	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

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