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7N65-R	文件：347.88 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC7N65-RisahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
7N65RD	文件：373.55 Kbytes Page：10 Pages	7A,650VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T)isanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistance,	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
7N65RFJH	文件：373.56 Kbytes Page：10 Pages	7A,650VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T)isanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistance,	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
7N65RMJ	文件：373.55 Kbytes Page：10 Pages	7A,650VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF7N65RD(MJ)(FJH)(F)(T)isanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMstructureVDMOStechnology.Theimproved processandcellstructurehavebeenespeciallytailoredtominimize on-stateresistance,	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
7N65T	文件：2.85034 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET Features ●RDS(ON)	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
7N65Z	文件：191.58 Kbytes Page：6 Pages	7.4A,650VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC7N65ZisahighvoltagepowerMOSFETdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedinhighspeedswitchingapplicationsofswitching	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOD7N65	文件：309.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD7N65	文件：1.55874 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD7N65	文件：393.46 Kbytes Page：6 Pages	650V,7AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOD7N65&AOI7N65havebeenfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications. ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI7N65	文件：317.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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