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74V1G03CTR	文件：112.14 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：112.14 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03S	文件：49.73 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N 文件：49.73 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03STR	文件：112.14 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：112.14 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03	文件：49.73 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N 文件：49.73 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03	文件：112.14 Kbytes Page：9 Pages	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE 文件：112.14 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
74V1G03C	文件：49.73 Kbytes Page：7 Pages	SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE DESCRIPTION The 74V1G03 is an advanced high-speed CMOS SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated with sub-micron silicon gate and double-layer metal wiring C2MOS technology. ■ HIGH SPEED: tPD = 3.9ns (TYP.) at VCC = 5V ■ LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1µA(MAX.) at TA=25°C ■ HIGH N 文件：49.73 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
74V1G03CTR
功能描述：
逻辑门 Single 2-Input NAND
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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