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74V1G03STR

SINGLE 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

74V1G03STR

Package:SC-74A,SOT-753;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:集成电路(IC) 门和反相器 描述:IC GATE NAND OD 1CH 2-IN SOT23-5

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

74V1G03

SINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATE

DESCRIPTION The74V1G03isanadvancedhigh-speedCMOSSINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.9ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION: ICC=1µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHN

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74V1G03

SINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

74V1G03C

SINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATE

DESCRIPTION The74V1G03isanadvancedhigh-speedCMOSSINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.9ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION: ICC=1µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHN

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意法半导体意法半导体集团

74V1G03CTR

SINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

74V1G03S

SINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATE

DESCRIPTION The74V1G03isanadvancedhigh-speedCMOSSINGLE2-INPUTOPENDRAINNANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=3.9ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION: ICC=1µA(MAX.)atTA=25°C ■HIGHN

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

产品属性

  • 产品编号:

    74V1G03STR

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 门和反相器

  • 系列:

    74V

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 逻辑类型:

    与非门

  • 输入数:

    2

  • 特性:

    开路漏极

  • 电压 - 供电:

    2V ~ 5.5V

  • 电流 - 输出高、低:

    -,8mA

  • 逻辑电平 - 低:

    0.5V

  • 逻辑电平 - 高:

    1.5V

  • 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟:

    6.5ns @ 5V,50pF

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-5

  • 封装/外壳:

    SC-74A,SOT-753

  • 描述:

    IC GATE NAND OD 1CH 2-IN SOT23-5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
18+
ICGATENANDSGL2INPSOT23-5
6580
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更多74V1G03STR供应商 更新时间2025-7-25 15:14:00