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74AUP1G38GW	文件：269.89 Kbytes Page：18 Pages	丝印：aB；Package：SOT353-1；Low-power 2-input NAND gate (open drain) 1. General description The 74AUP1G38 is a single 2-input NAND gate with open-drain output. Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise and fall times. This device ensures very low static and dynamic power consumption across the entire VCC range from 0.8 文件：269.89 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
74AUP1G38GX	文件：269.89 Kbytes Page：18 Pages	丝印：aB；Package：SOT1226-3；Low-power 2-input NAND gate (open drain) 1. General description The 74AUP1G38 is a single 2-input NAND gate with open-drain output. Schmitt-trigger action at all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise and fall times. This device ensures very low static and dynamic power consumption across the entire VCC range from 0.8 文件：269.89 Kbytes 页数：18 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
74AUP1G386	文件：93.51 Kbytes Page：16 Pages	Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gate 文件：93.51 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
74AUP1G386GF	文件：93.51 Kbytes Page：16 Pages	Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gate 文件：93.51 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
74AUP1G386GM	文件：93.51 Kbytes Page：16 Pages	Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gate 文件：93.51 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
74AUP1G386GW	文件：93.51 Kbytes Page：16 Pages	Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gate 文件：93.51 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
74AUP1G38GF	文件：91.81 Kbytes Page：15 Pages	Low-power 2-input NAND gate (open drain) 文件：91.81 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
74AUP1G38GM	文件：91.81 Kbytes Page：15 Pages	Low-power 2-input NAND gate (open drain) 文件：91.81 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
74AUP1G38GW	文件：91.81 Kbytes Page：15 Pages	Low-power 2-input NAND gate (open drain) 文件：91.81 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
74AUP1G386GM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low-power 3-input EXCLUSIVE-OR gate The 74AUP1G386 provides a single 3-input EXCLUSIVE-OR gate.\n Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall times across the entire VCC range from 0.8 V to 3.6 V.\n This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the en • Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V\n• High noise immunity\n• Complies with JEDEC standards:• JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)\n• JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)\n• JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)\n• JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)\n• JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)\n\n• ESD protection:• HBM JESD22-A114F Class 3A excee;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Product status：
Production
V_CC (V)：
1.1 - 3.6
Logic switching levels：
CMOS
Output drive capability (mA)：
+/- 1.9
t_pd (ns)：
8.6
f_max (MHz)：
70
No of bits：
1
Power dissipation considerations：
ultra low
T_amb (Cel)：
-40~125
R_th(j-a) (K/W)：
290
Ψ_th(j-top) (K/W)：
6.5
R_th(j-c) (K/W)：
145
Package name：
XSON6

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