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71V016SA12YG	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12YG8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12YGI	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12YGI8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM ◆ Equal access and cycle times — Commercial: 10/12/15/20ns — Industrial: 10/12/15/20ns ◆ One Chip Select plus one Output Enable pin ◆ Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible ◆ Low power consumption via chip des 文件：210.22 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V016SA12YG	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12YG8	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12YGI	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12YGI8	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 文件：116.03 Kbytes 页数：9 Pages	IDT	IDT
71V016SA12YG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V016SA12YGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71V016SA12YG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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