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71V016SA12YG8中文资料PDF规格书
![71V016SA12YG8](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
71V016SA12YG8 |
参数属性 | 71V016SA12YG8 封装/外壳为44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
文件大小 |
116.03 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企业简称 |
IDT【集成器】 |
中文名称 | 深圳市集成器件技术有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-18 10:18:00 |
产品属性
- 产品编号:
71V016SA12YG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
1Mb(64K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
12ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
44-SOJ
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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