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71V016SA12YGI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

71V016SA12YGI
厂商型号

71V016SA12YGI

参数属性

71V016SA12YGI 封装/外壳为44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM

封装外壳

44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

116.03 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Integrated Device Technology, Inc.
企业简称

IDT

中文名称

Integrated Device Technology, Inc.官网

原厂标识
IDT
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:31:00

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产品属性

  • 产品编号:

    71V016SA12YGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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