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7164S20YGI	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
7164S20YGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
7164S20YGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
7164S20YGI8	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
7164S20YGI8	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
7164S20YGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
7164S20DB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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7164S20TDB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
7164S20TDGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
7164S20TPG	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
7164S20TPGI	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
7164S20TPGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
7164S20YG	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDT7164S20D	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT7164S20DB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT7164S20P	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT7164S20PB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT7164S20TD	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT7164S20TDB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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产品属性

产品编号：
7164S20YGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

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更多7164S20YGI供应商更新时间2024-4-28 15:00:00

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