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7164S20TPG	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
7164S20TPG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：28-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
7164S20TPGI	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
7164S20TPG8	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
7164S20TPG88	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
7164S20TPGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
7164S20TPGI8	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
7164S20TPGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
7164S20DB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
7164S20DGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
7164S20TDB	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
7164S20TDGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
7164S20YG	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
7164S20YGI	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOSStaticRAM64K	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
7164S20YGI	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit) Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT7164S20D	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT7164S20DB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT7164S20P	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT7164S20PB	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT7164S20TD	文件：104.93 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT) Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司

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产品属性

产品编号：
7164S20TPG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
64Kb（8K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
28-PDIP
描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

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更多7164S20TPG供应商更新时间2024-4-28 10:20:00

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