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7164S20YGI8	文件：213.71 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) Features ◆ High-speed address/chip select access time – Commercial: 20/25ns (max.) – Industrial: 20/25ns (max.) – Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.) ◆ Low power consumption ◆ Battery backup operation – 2V data retention voltage (L Version only) ◆ Produced with advanced CMOS high-p 文件：213.71 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
7164S20YGI8	文件：749.13 Kbytes Page：10 Pages	CMOS Static RAM 64K 文件：749.13 Kbytes 页数：10 Pages	IDT	IDT
7164S20YGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ	RENESAS 瑞萨	RENESAS
7164S25YG8	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOJ-28	RENESAS(瑞萨)/IDT 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	RENESAS(瑞萨)/IDT
71M6513H-IGTR/F	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装正品	MAXIM 美信上传：深圳飞弛宏科技有限公司	MAXIM

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更多7164S20YGI8供应商更新时间2026-10-2 10:02:00