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70V3399S166BF	文件：544.14 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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70V3399S166BFG	文件：236.25 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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70V3399S166BFG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70V3399S166BC	文件：544.14 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V256/128Kx18SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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产品属性

产品编号：
70V3399S166BF
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，同步
存储容量：
2Mb（128K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
208-LFBGA
供应商器件封装：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208CABGA

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更多70V3399S166BF供应商更新时间2024-6-6 16:44:00

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