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6Y2	文件：65.269 Kbytes Page：10 Pages	型号：BZV49-C6V2；Package：SOT-89；Voltage regulator diodes DESCRIPTION Medium-powervoltageregulatordiodesinaSOT89plasticSMDpackage. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.1W •Toleranceseries:approx.±5 •Workingvoltagerange:nom.2.4to75V(E24range) •Non-repetitivepeakreversepowerdissipation:max.40W.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
6Y2	文件：199.05 Kbytes Page：10 Pages	型号：BZV49-C6V2；Package：SOT-89；Voltage regulator diodes DESCRIPTION Medium-powervoltageregulatordiodesinaSOT89plasticSMDpackage. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.1W •Toleranceseries:approx.±5 •Workingvoltagerange:nom.2.4to75V(E24range) •Non-repetitivepeakreversepowerdissipation:max.40W. APPLICATIONS •G	ETC	ETC
6Y2	文件：490.04 Kbytes Page：11 Pages	型号：BZV49-C6V2；Package：SC-62；Voltage regulator diodes FEATURES •Totalpowerdissipation:max.1W •Toleranceseries:approx.±5 •Workingvoltagerange:nom.2.4to75V(E24range) •Non-repetitivepeakreversepowerdissipation:max.40W. APPLICATIONS •Generalregulationfunctions. DESCRIPTION Medium-powervoltageregulatordiodesinaS	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
6Y2440P	文件：260.89 Kbytes Page：13 Pages	型号：BUK6Y24-40P；Package：LFPAK56；40 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeMOSFETinanLFPAK56(PowerSO8)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtoAEC-Q101standardforuseinhigh-performance automotiveapplicationssuchasreverse	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
6Y2
功能描述：
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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