丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.03997 Mbytes 页数：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：6R385P；Package：PG-TO252；600V CoolMOS™ CP Power Transistor

Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated High peak current capability Fully qualified according JEDEC for industrial applications Pb-free lead plating; RoHS compliant, available in Halogen free mold compound

文件：380.9 Kbytes 页数：11 Pages

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