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DMF6N70-TU	文件：2.11633 Mbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMG6N70-TR	文件：2.11633 Mbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMG6N70-TU	文件：2.11633 Mbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
DMK6N70-TU	文件：2.11633 Mbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelPowerMOSFET	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
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FIR6N70BPG	文件：3.56864 Mbytes Page：9 Pages	700VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR6N70FG	文件：2.35971 Mbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FQA6N70	文件：563.21 Kbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithsta	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF6N70	文件：745.64 Kbytes Page：8 Pages	700VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •4.74A,700V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical30nC) •LowCrss(typical15pF) •Fastswitching •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF6N70	文件：328.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4.74A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=700V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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