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AD676KD	文件：388.42 Kbytes Page：16 Pages	16-Bit100kSPSSamplingADC PRODUCTDESCRIPTION TheAD676isamultipurpose16-bitparalleloutputanalog-to-digitalconverterwhichutilizesaswitched-capacitor/chargeredistributionarchitecturetoachievea100kSPSconversionrate(10µstotalconversiontime).Overallperformanceisoptimizedbydigitallycorrectingi	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD676KD	文件：421.86 Kbytes Page：17 Pages	16-Bit100kSPSSamplingADC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD676KN	文件：391.72 Kbytes Page：16 Pages	16-Bit100kSPSSamplingADC PRODUCTDESCRIPTION TheAD676isamultipurpose16-bitparalleloutputanalog-to-digitalconverterwhichutilizesaswitched-capacitor/chargeredistributionarchitecturetoachievea100kSPSconversionrate(10µstotalconversiontime).Overallperformanceisoptimizedbydigitallycorrectingi	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ARF676	文件：43.23 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto4800V Meanforwardcurrent1515A Surgecurrent18kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B676	文件：98.82 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·HighDCCurrentGain :hFE=2000@VCE=-2V,IC=-1A(Min.) ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Forswitchingapplications ·Hammerdrive,pulsemotordriveapplications ·Poweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BC676A	文件：153 Kbytes Page：6 Pages	MediumPowerLinearandSwitching	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD676	文件：134.84 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS PNPSiliconDarlingtonTransistors Epibasepowerdarlingtontransistors(40W)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD676	文件：110.03 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD676,676A,678,678A,680,680A,682arecomplementarywithBD	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD676	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerSiliconPNPDarlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD676	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS ForUseAsOutputDevicesInComplementaryGeneralPurposeAmplifierApplications. COMPLEMENTARYTOBD675,675A,677,677A,679,679A,681&683BD678,678A,680,680AAREEQUIVALENTTOMJE700,702,703.	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

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