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BD676	文件：110.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD676,676A,678,678A,680,680A,682arecomplementarywithBD	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BD676	文件：134.84 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS PNPSiliconDarlingtonTransistors Epibasepowerdarlingtontransistors(40W)	SIEMENS Siemens Ltd
BD676	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD676	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS ForUseAsOutputDevicesInComplementaryGeneralPurposeAmplifierApplications. COMPLEMENTARYTOBD675,675A,677,677A,679,679A,681&683BD678,678A,680,680AAREEQUIVALENTTOMJE700,702,703.	TEL TRANSYS Electronics Limited
BD676	文件：102.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darligton Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675/BD677/BD679 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
BD676	文件：84.55 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682/AarePNPtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. NPNcomplementsareBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A Compli	COMSET Comset Semiconductor
BD676	文件：131.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Darligton Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675/BD677/BD679 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BD676	文件：76.26 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS TheBD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682/AarePNPtransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyareeptaxial-basetransistorsinmonolithicDarlingtoncircuitforaudioandvideoapplications. NPNcomplementsareBD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A Compli	COMSET Comset Semiconductor
BD676	文件：123.32 Kbytes Page：4 Pages	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS ForUseAsOutputDevicesInComplementaryGeneralPurposeAmplifierApplications. COMPLEMENTARYTOBD675,675A,677,677A,679,679A,681&683 BD678,678A,680,680AAREEQUIVALENTTOMJE700,702,703.	CDIL CDIL
BD676	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BD676	文件：124.22 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD676	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 45V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD6761FS	文件：206.12 Kbytes Page：5 Pages	3-phase motor pre-driver for LBP Description Thisproductisthemotorpredriverforhigh-side/low-sideN-channelMOS-FETdrive,whichhasthebuilt-inbooster(step-up)circuit.BD6761FSusesthedrivetypecontrolledbytheservosignalinputfromoutsideandBD6762FVincorporatesaservocircuit(Speeddiscriminator+PLLser	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD6762FV	文件：342.11 Kbytes Page：6 Pages	3-phase motor pre-driver for LBP Description Thisproductisthemotorpredriverforhigh-side/low-sideN-channelMOS-FETdrive,whichhasthebuilt-inbooster(step-up)circuit.BD6761FSusesthedrivetypecontrolledbytheservosignalinputfromoutsideandBD6762FVincorporatesaservocircuit(Speeddiscriminator+PLLser	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD676A	文件：110.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon PNP Darlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons ...foruseasoutputdevicesincomplementarygeneral–purposeamplifierapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicConstruction •BD676,676A,678,678A,680,680A,682arecomplementarywithBD	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BD676A	文件：42.13 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •MediumPowerDarlingtonTR •ComplementtoBD675A,BD677A,BD679AandBD681respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BD676A	文件：59.19 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?뭁ower Silicon PNP Darlingtons PlasticMedium−PowerSiliconPNPDarlingtons Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPDarlingtontransistorscanbeusedasoutputdevicesincomplementarygeneral−purposeamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=750(Min)@IC=1.5and2.0Adc •MonolithicCons	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD676A	文件：55.2 Kbytes Page：3 Pages	PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS PNPDARLIGNTONPOWERSILICONTRANSISTORS ForUseAsOutputDevicesInComplementaryGeneralPurposeAmplifierApplications. COMPLEMENTARYTOBD675,675A,677,677A,679,679A,681&683BD678,678A,680,680AAREEQUIVALENTTOMJE700,702,703.	TEL TRANSYS Electronics Limited
BD676A	文件：102.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675A/677A/679A/681 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
BD676A	文件：131.11 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD675A/677A/679A/681 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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晶体管资料

型号：
BD676(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD262,BD776,FC50A,2N6035,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
45
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD676
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP DARL 45V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亚泰盈科电子有限公司	BD676			TO126	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	BD676	FSC	07+	TO126	40495		询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	BD676	ROHM	2022	TO-126	5280	原厂原装正品,价格超越代理	询价
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深圳市利加科技有限公司	BD676	ON	16+	T0-126	10000	全新原装现货	询价
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更多BD676供应商更新时间2024-4-27 14:00:00

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