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60R190D	文件：498.44 Kbytes Page：16 Pages	600VCoolGaN™enhancement-modePowerTransistor Features Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch Ultrafastswitching Noreverse-recoverycharge Capableofreverseconduction Lowgatecharge,lowoutputcharge Superiorcommutationruggedness QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
60R190P	文件：1.31882 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
BRF60R190	文件：1.394 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
IPAW60R190CE	文件：1.029839 Mbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS짧CEPowerTransistor 600VCoolMOSªCEPowerTransistor Applications PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMF60R190P	文件：1.30176 Mbytes Page：10 Pages	600V0.19(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

更多60R190P其他IC供应商更新时间2025-7-31 10:05:00