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MMF60R190P

600V 0.19(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.30176 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMF60R190PTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:322.88 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMF60R190PTH

600V 0.19(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.30176 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMF60R190PTH

600V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

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更多MMF60R190P供应商 更新时间2025-10-12 14:14:00