MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP50P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Super low on-state resistance RDS(on)1= 17 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −25 A) RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.5 V, ID= −25 A) •Low input capacitance

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NEC

瑞萨

P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

文件：43.68 Kbytes 页数：4 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

-50A, -60V P-CHANNEL (D-S) POWER MOSFET

文件：144.02 Kbytes 页数：3 Pages

UTC

友顺

Isc P-Channel MOSFET Transistor

文件：267.08 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件：128.889 Kbytes 页数：2 Pages

SECOS

喜可士

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：971.65 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

丝印：50P06；Package：TO-252；-60V P-Channel MOSFET

APPLICATIONS Load Switch

文件：441.73 Kbytes 页数：5 Pages

UMW

友台半导体

丝印：50P06；Package：TO-252；-60V P-Channel MOSFET

PRODUCT SUMMARY VDS (V) = -60V RDS(ON)

文件：304.68 Kbytes 页数：5 Pages

EVVOSEMI

翊欧

丝印：50P06-15；Package：TO-252-3L；P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES RDS(ON) 14mQ@VGs=-10V (Typ) RDs(ON) 16mQ@VaGs=-4.5V(Typ) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

文件：2.72235 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子