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50N06

丝印:50N06;Package:TO-252;60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =50A RDS(ON),12mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

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UMW

友台半导体

50N06

丝印:50N06;Package:TO-220C;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:812.59 Kbytes 页数:10 Pages

WXDH

东海半导体

50N06

丝印:50N06;Package:TO-220C;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:808.72 Kbytes 页数:10 Pages

WXDH

东海半导体

50N06

丝印:50N06;Package:TO-220C;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:807.77 Kbytes 页数:10 Pages

WXDH

东海半导体

50N06

丝印:50N06;Package:TO-220C;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:808.18 Kbytes 页数:10 Pages

WXDH

东海半导体

50N06

丝印:50N06;Package:TO-220C;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:807.99 Kbytes 页数:10 Pages

WXDH

东海半导体

50N06

丝印:50N06;Package:TO-220C;50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

KI50N06DFN

丝印:50N06;Package:DFN5x6-8;N-Channel MOSFET

文件:267.2 Kbytes 页数:7 Pages

KEXIN

科信电子

SPR50N06-C

丝印:50N06;Package:PR-8PP;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:333.49 Kbytes 页数:4 Pages

SECOS

喜可士

50N06

丝印:50N06;Package:TO-252;60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =50A RDS(ON),12mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

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UMW

友台半导体

详细参数

  • 型号:

    50N06

  • 制造商:

    UTC-IC

  • 制造商全称:

    UTC-IC

  • 功能描述:

    50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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更多50N06供应商 更新时间2025-9-21 14:14:00