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4N36M(TA)-V	文件：878.22 Kbytes Page：13 Pages	6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR 文件：878.22 Kbytes 页数：13 Pages	EVERLIGHT 台湾亿光	EVERLIGHT
4N36M(TB)-V	文件：878.22 Kbytes Page：13 Pages	6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR 文件：878.22 Kbytes 页数：13 Pages	EVERLIGHT 台湾亿光	EVERLIGHT
4N36M	文件：300 bytes Page：1 Pages	6 引脚 DIP 封装光电晶体管输出光耦合器该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 • Minimum Current Transfer Ratio at IF = 10 mA, VCE = 10 V:• 10% for 4N27M and 4N28M• 20% for 4N25M and 4N26M• 100% for 4N35M, 4N36M and 4N37M\n• Safety and Regulatory Approvals:• UL1577, 4,170 VACRMS for 1 Minute• DIN-EN/IEC60747-5-5, 850 V Peak Working Insulation Voltage;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channels：
1
CTR (Min) (%)：
100
CTR tested @ IF (mA)：
10
VCE(sat) (Max) (V)：
0.3
BVCEO (Min) (V)：
30
BVCBO (Min) (V)：
70
BVECO (Min) (V)：
7
ton (Max) (µs)：
2
toff (Max) (µs)：
2
VISO (Min) (V)：
4200
TOPR (Min) (°C)：
-40
TOPR (Max) (°C)：
100
Package Type：
PDIP-6

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