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AO4830	文件：1.35448 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4830；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET 文件：1.35448 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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4830	文件：80.39 Kbytes Page：1 Pages	NYLON M/F HEX STANDOFF 文件：80.39 Kbytes 页数：1 Pages	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
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48307-7022	文件：205.25 Kbytes Page：4 Pages	0.50mm (.020) Pitch HDMI* Receptacle, Vertical, SMT, with support, 0.38關m (15關)Gold (Au) Plating, Pick-and-Place Cover, 19 Circuits, Tape on Reel Packaging, Lead free 文件：205.25 Kbytes 页数：4 Pages	MOLEX6 莫仕	MOLEX6
48307-8012	文件：344.78 Kbytes Page：6 Pages	0.50mm (.020) Pitch HDMI* Receptacle, Vertical, SMT, without support, Gold (Au) Flash Plating, Pick-and-Place Cover, 19 Circuits, Tape on Reel Packaging, Lead free 文件：344.78 Kbytes 页数：6 Pages	MOLEX6 莫仕	MOLEX6
48307-8022	文件：347.04 Kbytes Page：6 Pages	0.50mm (.020) Pitch HDMI* Receptacle, Vertical, SMT, with Flange, Gold (Au) Flash Plating, Pick-and-Place Cover, 19 Circuits, Tape on Reel Packaging, Lead free 文件：347.04 Kbytes 页数：6 Pages	MOLEX6 莫仕	MOLEX6

详细参数

型号：
4830
功能描述：
MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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