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NTD4860	文件：482.46 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4860N；Package：TO-252；25V N -Channel MOSFET Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Applications • VCORE Applications • DC−DC Converters • High/Low Side Switching VDS(V) =25V ID =65A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：482.46 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTD4860NT4G	文件：482.46 Kbytes Page：7 Pages	丝印：4860N；Package：TO-252；25V N -Channel MOSFET Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Applications • VCORE Applications • DC−DC Converters • High/Low Side Switching VDS(V) =25V ID =65A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：482.46 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW

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更多4860N供应商更新时间2025-9-21 16:36:00