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4858N	文件：425.94 Kbytes Page：7 Pages	型号：NTD4858；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses•LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses Applications •VCOREApplications •DC−DCConverters•High/LowSideSwitching V(BR)DSS30V RDS(ON) ID 6.2m 73A 9.3m	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
4858N	文件：425.94 Kbytes Page：7 Pages	型号：NTD4858NT4G；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses•LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses Applications •VCOREApplications •DC−DCConverters•High/LowSideSwitching V(BR)DSS30V RDS(ON) ID 6.2m 73A 9.3m	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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型号：NTD4858；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses•LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses Applications •VCOREApplications •DC−DCConverters•High/LowSideSwitching V(BR)DSS30V RDS(ON) ID 6.2m 73A 9.3m

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

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型号：NTD4858NT4G；Package：TO-252；30V N-Channel MOSFET

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

详细参数

型号：
4858N
功能描述：
MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多4858N供应商更新时间2025-7-31 14:02:00

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