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46DR81280A

Clock frequency up to 400MHz

文件:855.01 Kbytes 页数:28 Pages

ISSI

矽成半导体

46DR83200A

32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM

文件:1.48953 Mbytes 页数:48 Pages

ISSI

矽成半导体

46DN06

可控硅/二极管Discs

The 46DN06 Welding Diode discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed housings with a dia of 46mm and a height of 4,0mm. • High current\n• High blocking voltage\n• Light-triggered types available\n• Highest robustness\n• Highest reliability\n• High case non rupture current capability \n\n优势:;

Infineon

英飞凌

46DN06B02

600 V 无外壳焊接二极管

无外壳焊接二极管 600 V、8040 A,直径 46 毫米。我们设计的产品具有更低的损耗,适合中频电阻焊接和大电流整流器应用。低通态电压允许持续约 8040 A 的非常高的正向电流,这比我们当前的 46DN06 类型要大。46DN06B02 非常紧凑,直径为 46 毫米,高度为 4 毫米。 • 高达 8 kA 的正向电流\n • 低损耗\n • 最高的可靠性\n • 一流的功率循环能力。;

Infineon

英飞凌

46DN02

Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

Infineon

英飞凌

46DN06B02ELEMPRXPSA1

Package:DO-200AA,A-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V

INFINEON

英飞凌

46DN06B02ELEMXPSA1

Package:DO-200AC,K-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:POWER DIODE BG-D_ELEM-1

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • Tvj[°C] max:

    180

  • Clamping force[kn] min:

    30

  • Clamping force[kn] max:

    45

  • Housing:

    Disc dia 46mm height 4

  • Configuration:

    Rectifier Diodes / Welding Diodes

  • IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin:

    5100/118

  • VF/IF[V/kA] @Tvj max:

    0.99/4.5

  • RthJC[K/kW] @180° el sin max:

    9.35

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
American Beauty
2022+
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ATMEL/爱特梅尔
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更多46D供应商 更新时间2026-1-24 9:50:00