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AO6402A	文件：484.5 Kbytes Page：7 Pages	丝印：42KL；Package：SOT23-6；30V N-Channel MOSFET Features VDS (V) = 30V ID = 7.5A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：484.5 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6402A	文件：375.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：42KLU50；Package：SOT23-6；30V N-Channel MOSFET General Description The AO6402A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass th 文件：375.22 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI

详细参数

型号：
42KL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 7A 6-TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多42KL供应商更新时间2025-10-31 16:36:00

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