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Marking：42P6LLF6；Package：PowerFLAT；P-channel -60 V, 23 m廓 typ., -42 A STripFET??F6 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 package Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™F6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages. Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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