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40HFL100S05	文件：226.78 Kbytes Page：2 Pages	Standard Recovery Diodes 文件：226.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
40HFL100S05	文件：89.22 Kbytes Page：1 Pages	Rectifiers Fast Recovery 文件：89.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
40HFL100S05	文件：1.89129 Mbytes Page：14 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 40 A/70 A/85 A 文件：1.89129 Mbytes 页数：14 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
40HFL100S10	文件：1.89129 Mbytes Page：14 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 40 A/70 A/85 A 文件：1.89129 Mbytes 页数：14 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
40HFL100S10	文件：89.22 Kbytes Page：1 Pages	Rectifiers Fast Recovery 文件：89.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
40HFL10S02	文件：89.22 Kbytes Page：1 Pages	Rectifiers Fast Recovery 文件：89.22 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
40HFL10S02	文件：1.89129 Mbytes Page：14 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 40 A/70 A/85 A 文件：1.89129 Mbytes 页数：14 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
40HFL10S02	文件：1.88753 Mbytes Page：14 Pages	Fast Recovery Diodes (Stud Version), 40 A/70 A/85 A 文件：1.88753 Mbytes 页数：14 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
100V
Peak Reverse Recovery Time：
500ns
Peak Reverse Current：
100uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
420A
Peak Forward Voltage：
1.95V
Operating Junction Temperature：
-40 to 125°C
Minimum Operating Temperature：
-40°C
Maximum Operating Temperature：
125°C
Maximum Continuous Forward Current：
40A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市欧立现代科技有限公司	40HFL10S05	IR	24+	DO-5	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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浙江永芯科技有限公司	40HFL10S05	IR	23+	标准封装	5000	原厂授权一级代理 IGBT模块可控硅晶闸管熔断器质保	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	40HFL10S05	IR	23+	MODULE	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市中联芯电子有限公司	40HFL10S05	IR	2023+	MODULE	865	主打螺丝模块系列	询价
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更多40HFL10供应商更新时间2025-11-4 10:33:00

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