工业温度计

LCR Hallcrest

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 17A, RDS(ON) = 75mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 90mΩ @VGS = 5.0V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead free product is acquired.

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CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

CET

华瑞

包装：散装 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RFI 和 EMI - 触头，簧片和衬垫 描述：GK NICU NRS PU V0 DSH

Laird Technologies EMI

包装：散装 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RFI 和 EMI - 触头，簧片和衬垫 描述：GK NICU PTAFG PU V0 DSH

Laird Technologies EMI

包装：散装 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RFI 和 EMI - 触头，簧片和衬垫 描述：GK NICU NRS PU V0 DSH

Laird Technologies EMI