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40250

SILICON NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 40250 is a silicon NPN power transistor mounted in a hermetically sealed metal case, designed for general purpose amplifier applications.

文件:398.05 Kbytes 页数:3 Pages

CENTRAL

40250

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes 页数:6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

40250

Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch Central Semiconductor

Central

MBR40250

250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Features • 250 V Blocking Voltage • Low Forward Voltage Drop, VF = 0.86 V • Soft Recovery Characteristic, TRR

文件:48.41 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBR40250T

250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Power Rectifier Features • 250 V Blocking Voltage • Low Forward Voltage Drop, VF = 0.86 V • Soft Recovery Characteristic, TRR

文件:48.41 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MBRF40250T

250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Power Rectifier

文件:111.29 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    40250

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD243B,BD587,BDX24,2N3054,3DD60A,

  • 最大耗散功率:

    29W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    29

技术参数

  • Case:

    TO-66

  • Configuration/ Description:

    NPN General Purpose Amplifier/Switch

  • Polarity:

    NPN

  • IC MAX:

    4A

  • PD MAX:

    5.8W

  • VCEO MAX:

    40V

  • hFE MIN:

    25

  • hFE MAX:

    100

  • @VCE:

    4V

  • VCE(SAT) MAX:

    1.5V

  • @IC:

    1.5A

  • @IB:

    150mA

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更多40250供应商 更新时间2026-10-18 16:30:00