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PBSS4021SN	文件：854.4 Kbytes Page：15 Pages	丝印：4021SN；Package：SO8；20 V, 7.5 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Features and benefits * Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional tr 文件：854.4 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多4021SN供应商更新时间2025-9-21 15:14:00