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3NF06L	文件：251.94 Kbytes Page：12 Pages	N-channel 60 V, 0.07 廓, 4 A, SOT-223 STripFET??II Power MOSFET 文件：251.94 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STN3NF06L	文件：1.92824 Mbytes Page：5 Pages	丝印：3NF06L；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. 文件：1.92824 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
STN3NF06	文件：283.6 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET??II POWER MOSFET 文件：283.6 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STN3NF06	文件：952.14 Kbytes Page：34 Pages	Digital constant-current controller 文件：952.14 Kbytes 页数：34 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STN3NF06L	文件：1.92824 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. 文件：1.92824 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

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