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3N180	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC
3N180-E3	文件：292.93 Kbytes Page：7 Pages	3.0A, 1800V N-CHANNEL POWER MOSFET  DESCRIPTION The UTC 3N180-E3 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 10.3 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching C 文件：292.93 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
3N1800AP	文件：300 bytes Page：1 Pages	陶瓷保险丝管（延时型）Ceramic Tube Fuse(Time-lag)UL/VDE/CCC Approved	LANSON 良胜电子	LANSON
3N180-E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar Power MOSFET (N-CH)	UTC 友顺	UTC

技术参数

VGS(±V)：
±30
ID(A)(Range)：
3
RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V(Range)：
6500
CISSTYP.(pF)：
1417
COSSTYP.(pF)：
117
CRSSTYP.(pF)：
14
QgTYP.(nC)：
45
QgsTYP.(nC)：
12
QgdTYP.(nC)：
12
VGS(th)(V)MIN.(Range)：
3
VGS(th)(V)MAX.(Range)：
5
TrrTYP.(nS)：
996
QrrTYP.(nC)：
9770
Package：
TO-220_TO-220F1_TO-263_TO-263

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	3N180	MOTOROLA	24+	CAN4	2180	原装现货假一罚十	询价
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更多3N180供应商更新时间2025-12-25 8:01:00

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