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3N120-E3

3.0A, 1200V N-CHANNEL POWER MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 3N120-E3 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.  FEATURES0 * RDS(ON) ≤ 7.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A * Low Reverse Transfer Capacitance * Fast Switching Ca

文件:287.17 Kbytes 页数:7 Pages

UTC

友顺

3N120-E3

Planar Power MOSFET  (N-CH)

UTC

友顺

3N95

CAN4

MOT

3NE1021-2

标准封装

西门子

3NE1803-0

标准封装

西门子

技术参数

  • VGS(±V):

    ±30

  • ID(A):

    3

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=10V:

    7000

  • CISSTYP.(pF):

    570

  • COSSTYP.(pF):

    60

  • CRSSTYP.(pF):

    13

  • QgTYP.(nC):

    28

  • QgsTYP.(nC):

    12

  • QgdTYP.(nC):

    10

  • VGS(th)(V)MIN.:

    3

  • VGS(th)(V)MAX.:

    5

  • TrrTYP.(nS):

    780

  • QrrTYP.(nC):

    5070

  • Package:

    TO-220F1

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更多3N120-E3供应商 更新时间2025-11-18 13:30:00