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BCV61C	文件：104.34 Kbytes Page：3 Pages	丝印：3LP；Package：SOT-143；PNP general purpose double transistor ■ Features ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：104.34 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
3LP01C	文件：27.98 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-Speed Switching Applications 文件：27.98 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
3LP01C	文件：84.89 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：84.89 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
3LP01C	文件：259.66 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Small Signal MOSFET 文件：259.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
3LP01C_09	文件：84.89 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：84.89 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
3LP01C_12	文件：437.53 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：437.53 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
3LP01C-D	文件：980.16 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：980.16 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
3LP01C-TB-E	文件：437.53 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：437.53 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
3LP01C-TB-E	文件：259.66 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Small Signal MOSFET 文件：259.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
3LP01C-TB-H	文件：437.53 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：437.53 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

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详细参数

型号：
3LP
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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