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3DG3332

丝印:3DG3332;Package:TO-92;TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES High breakdown voltage Excellent hFE linearity Large current capacity and wide ASO

文件:1.46648 Mbytes 页数:4 Pages

DGNJDZ

南晶电子

3DG3332-TA

丝印:3DG3332;Package:TO-92;TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES High breakdown voltage Excellent hFE linearity Large current capacity and wide ASO

文件:1.46648 Mbytes 页数:4 Pages

DGNJDZ

南晶电子

3DG3332

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

文件:442.49 Kbytes 页数:3 Pages

JIANGSU

长电科技

3DG3332

晶体管

JSCJ

长晶科技

技术参数

  • PCM(W):

    0.625

  • IC(A):

    0.7

  • VCBO(V):

    180

  • VCEO(V):

    160

  • VEBO(V):

    6

  • hFEMin:

    100

  • hFEMax:

    400

  • hFE@VCE(V):

    5

  • hFE@IC(A):

    0.1

  • VCE(sat)(V):

    0.4

  • VCE(sat)\u001E@IC(A):

    0.25

  • VCE(sat)\u001E@IB(A):

    0.025

  • Package:

    TO-92

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-39
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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t0-39
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CHINA
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更多3DG33供应商 更新时间2025-10-30 14:32:00