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3DD13002S-TA	文件：1.52387 Mbytes Page：4 Pages	丝印：13002S；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power switching applications 文件：1.52387 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
3DD13002-TO-92	文件：35.34 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 900 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3DD13002: 1 A 3DD13002B: 0.8 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：35.34 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
3DD13003	文件：146.63 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR ( NPN ) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W（T amb=25℃） Collector current ICM : 1.5A Collector-base voltage V(BR)CBO : 700 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃to +150℃ 文件：146.63 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
3DD13003	文件：266.49 Kbytes Page：4 Pages	丝印：13003；Package：SOT-89；High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor FEATURES ● PC=1W(Mounted on ceramic substrate). ● High speed switching. ● Die size:1.34*1.34 ● Small flat package. APPLICATIONS ● Mainly used for compact electronic energy saving lamps, electronic ballast and mobile phone chargers power switch circuit 文件：266.49 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
3DD13003	文件：238.55 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● Electronic ballasts ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier circuit 文件：238.55 Kbytes 页数：5 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD13003	文件：59.54 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.5 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 700 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：59.54 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
3DD13003	文件：1.47619 Mbytes Page：3 Pages	丝印：13003；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES power switching applications 文件：1.47619 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
3DD13003A	文件：290.64 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● Battery changer ● Electronic ballasts ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier circuit 文件：290.64 Kbytes 页数：7 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD13003A-O-MF-N-B	文件：290.64 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● Battery changer ● Electronic ballasts ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier circuit 文件：290.64 Kbytes 页数：7 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD13003A-O-MF-N-C	文件：290.64 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ● High breakdown voltage ● High current capability ● High switching speed ● High reliability ● RoHS product APPLICATIONS ● Battery changer ● Electronic ballasts ● High frequency switching power supply ● High frequency power transform ● Commonly power amplifier circuit 文件：290.64 Kbytes 页数：7 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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技术参数

IC(A)：
1.5
BVCBO(V)：
700
BVCEO(V)：
400
BVEBO(V)：
9
HFE（min)：
20
HFE(max)：
40
HFE@VCE(V)：
10
HFE@IC(mA)：
400
VCESAT(V)：
3
VCESAT@IC(mA)：
1500
VCESAT@IB(mA)：
500
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
三奇股份有限公司	3DD13003B	长晶			70000		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	3DD13003B	长电	25+23+	TO-92	23667	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
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深圳市鑫远鹏科技有限公司	3DD13003B	长电	21+	1.5A 400V TO-126	1237	原装现货	询价
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深圳市芯连胜科技有限公司	3DD13003B	长晶	2023	TO-92	23000		询价
富凯科技(深圳）有限公司	3DD13003B	CJ/长电	24+	TO-92	50000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价
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