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3DA882	文件：304.19 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector Current-IC= 3.0A ·Low Saturation Voltage - : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 2.0A, IB= 0.2A ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 3CA772 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Suited for the output stag 文件：304.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DA8050	文件：756.42 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package 文件：756.42 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
3DA882	文件：954.46 Kbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：954.46 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
3DA8050	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
3DA882	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

PCM(W)：
1.25
IC(A)：
3
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
30
VEBO(V)：
6
hFEMin：
60
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-126

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更多3DA8供应商更新时间2025-10-30 14:32:00

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