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INA296B2QDGKRQ1	文件：2.94615 Mbytes Page：47 Pages	丝印：3ADB；Package：VSSOP；INA296x-Q1 AEC-Q100, –5V to 110V, Bidirectional, 1.1MHz, 8V/μs, Ultra-Precise Current Sense Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications: – Temperature grade 1: −40°C to 125°C, TA • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design • Wide common-mode voltage: – Operational voltage: −5V to 110V – Survival voltage: −20V to 120 文件：2.94615 Mbytes 页数：47 Pages	TI 德州仪器	TI
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INA296B2QDGKRQ1.B	文件：2.96877 Mbytes Page：49 Pages	丝印：3ADB；Package：VSSOP(DGK)；INA296x-Q1 AEC-Q100, –5V to 110V, Bidirectional, 1.1MHz, 8V/μs, Ultra-Precise Current Sense Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications: – Temperature Grade 1: −40°C to 125°C, TA – Temperature Grade 0: −40°C to 150°C, TA • Functional Safety-Capable – Documentation available to aid functional safety system design • Wide common-mode voltage: – Operational voltage: − 文件：2.96877 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
ISL80113IRAJZ	文件：1.09483 Mbytes Page：17 Pages	丝印：3ADJ；Package：DFN；Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs Features • Ultra low dropout: 75mV at 3A, (typical) • Excellent VIN PSRR: 70dB at 1kHz (typical) • ±1.6% assured VOUT accuracy for -40ºC 文件：1.09483 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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ISL80113IRAJZ-T7A	文件：1.09483 Mbytes Page：17 Pages	丝印：3ADJ；Package：DFN；Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs Features • Ultra low dropout: 75mV at 3A, (typical) • Excellent VIN PSRR: 70dB at 1kHz (typical) • ±1.6% assured VOUT accuracy for -40ºC 文件：1.09483 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
SM30T100AY	文件：1.2019 Mbytes Page：16 Pages	丝印：3ADZY；Package：SMC；Automotive 3000 W TVS in SMC Features • AEC-Q101 qualified • Peak pulse power: – 3000 W (10/1000 μs) – up to 40 kW (8/20 μs) • Stand-off voltage range from 5 V to 188 V • Unidirectional and bidirectional types • Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C • Operating Tj max: 175 °C • JEDEC registered package outline • Lead 文件：1.2019 Mbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
SM30T75AY	文件：1.2019 Mbytes Page：16 Pages	丝印：3ADEY；Package：SMC；Automotive 3000 W TVS in SMC Features • AEC-Q101 qualified • Peak pulse power: – 3000 W (10/1000 μs) – up to 40 kW (8/20 μs) • Stand-off voltage range from 5 V to 188 V • Unidirectional and bidirectional types • Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C • Operating Tj max: 175 °C • JEDEC registered package outline • Lead 文件：1.2019 Mbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
3AD1
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
β>=200
图片代号：
D-112
vtest：
20
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
10

产品属性

产品编号：
3AD
制造商：
Bivar Inc.
类别：
光电器件 > LED 指示 - 分立
包装：
散装
颜色：
琥珀色
配置：
标准
透镜颜色：
琥珀色
透镜透明度：
散射
毫烛光等级：
25mcd
透镜样式：
圆形，带圆顶
透镜尺寸：
3mm，T-1
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2V
电流 - 测试：
20mA
视角：
40°
安装类型：
通孔
波长 - 峰值：
605nm
封装/外壳：
径向
供应商器件封装：
T-1
高度（最大值）：
4.50mm
描述：
LED AMBER DIFFUSED T-1 T/H

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