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DS3652J	文件：217.04 Kbytes Page：8 Pages	QuadDifferentialLineReceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS3652M	文件：217.04 Kbytes Page：8 Pages	QuadDifferentialLineReceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS3652N	文件：217.04 Kbytes Page：8 Pages	QuadDifferentialLineReceivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
EVAL-ADMX3652Z-INT	文件：363.99 Kbytes Page：11 Pages	6½Digit,±20VDigitalVoltageMeter GENERALDESCRIPTION TheADMX36526½digit,digitalvoltagemeter(DVM)offersfast throughput(1kSPS),flexiblemeasurements(manualorautomatic selectionrange),andtrustworthyresults(25ppmofmeasurement accuracyfor90daysunder2Vrange).TheADMX3652providesa compactsolutionw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADMX3652Z-INT	文件：365.31 Kbytes Page：12 Pages	6½Digit,±20VDigitalVoltageMeter GENERALDESCRIPTION TheADMX36526½digit,digitalvoltagemeter(DVM)offersfast throughput(1kSPS),flexiblemeasurements(manualorautomatic selectionrange),andtrustworthyresults(25ppmofmeasurement accuracyfor90daysunder2Vrange).TheADMX3652providesa compactsolutionw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FDB3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3652	文件：325.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP3652	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
3652JG
制造商：
BB
制造商全称：
BB
功能描述：
Optically-Coupled Linear ISOLATION AMPLIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	3652JG	BB	24+	DIP	4000	原装原厂代理可免费送样品	询价
深圳市一线半导体有限公司	3652JG	BB	24+	DIP	147		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	3652JG	BB	23+	DIP	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	3652JG	BURR-BROWN	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	3652JG	BB	25+23+	DIP	70223	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	3652JG	BB	21+	DIP	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市昊创电子有限公司	3652JG	BB		DIP	915	优势库存	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	3652JG	BB/TI	专业铁帽	DIP32	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
上海市鑫鸿达电子	3652JG	BB	2022+		11	全新原装货期两周	询价
华富测量(深圳)传感技术有限公司	3652JG	BB	2138+	DIP	8960	专营军工产品,进口原装	询价

更多3652JG供应商更新时间2025-7-25 15:08:00

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