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DS3652N	文件：217.04 Kbytes Page：8 Pages	Quad Differential Line Receivers	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
EVAL-ADMX3652Z-INT	文件：363.99 Kbytes Page：11 Pages	6½Digit,±20VDigitalVoltageMeter GENERALDESCRIPTION TheADMX36526½digit,digitalvoltagemeter(DVM)offersfast throughput(1kSPS),flexiblemeasurements(manualorautomatic selectionrange),andtrustworthyresults(25ppmofmeasurement accuracyfor90daysunder2Vrange).TheADMX3652providesa compactsolutionw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADMX3652Z-INT	文件：365.31 Kbytes Page：12 Pages	6½Digit,±20VDigitalVoltageMeter GENERALDESCRIPTION TheADMX36526½digit,digitalvoltagemeter(DVM)offersfast throughput(1kSPS),flexiblemeasurements(manualorautomatic selectionrange),andtrustworthyresults(25ppmofmeasurement accuracyfor90daysunder2Vrange).TheADMX3652providesa compactsolutionw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FDB3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDI3652	文件：325.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP3652	文件：272.25 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m? Features •rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A •Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCConvertersandOff-lineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP3652	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
GPDR3652	文件：150.43 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERDIODE	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI
GPDR3652	文件：112.75 Kbytes Page：1 Pages	RECTIFIERDIODE RECTIFIERDIODE VOLTAGEUPTO2400V AVERAGECURRENT6520A SURGECURRENT60kA	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI

详细参数

型号：
DS3652N
制造商：
NSC
制造商全称：
National Semiconductor
功能描述：
Quad Differential Line Receivers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昊创电子有限公司	DS3652N	NS	1629+	DIP16	1502	代理品牌	询价
深圳市一线半导体有限公司	DS3653J	NS	24+	CDIP	30		询价
深圳市勤思达科技有限公司	DS3653N	NSC	10+	DIP-16	7800	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市胜彬电子有限公司	DS3653N	NS	22+	DIP-16	8000	原装正品支持实单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DS3654	DALIAS	23+	DIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	DS3654N	NS	23+	DIP	9823		询价
深圳市欧立现代科技有限公司	DS3654N	NS	24+	N/A	6980	原装现货,可开13%税票	询价
标准国际(香港)有限公司	DS3654N	DS3654N		22	22		询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	DS3654N	NS/国半	23+	DIP16	10880	原装正品，支持实单	询价
深圳市旺财半导体有限公司	DS3654N		23+	DIP	3880	正品原装货价格低	询价

更多DS3652N供应商更新时间2025-5-26 10:51:00

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