30P5.0-JMDSS-G-1-TF技术资料参数原装现货第16页-114ic电子网

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30PUA60_2015	文件：127.56 Kbytes Page：1 Pages	FRED 文件：127.56 Kbytes 页数：1 Pages	NI 恩艾	NI
30PUB60	文件：52.88 Kbytes Page：5 Pages	DIODE - 3A 600V 27ns 文件：52.88 Kbytes 页数：5 Pages	NIEC	NIEC
30PUB60_15	文件：129.72 Kbytes Page：1 Pages	FRED 文件：129.72 Kbytes 页数：1 Pages	NI 恩艾	NI
30PUB60_2015	文件：129.72 Kbytes Page：1 Pages	FRED 文件：129.72 Kbytes 页数：1 Pages	NI 恩艾	NI
RM30P30D3	文件：460.49 Kbytes Page：6 Pages	丝印：30P30；Package：DFN3X3；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS = -30V,ID = -30A RDS(ON) 文件：460.49 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM30P40D3	文件：953.24 Kbytes Page：6 Pages	丝印：30P40；Package：DFN3X3；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS = -40V,ID = -30A RDS(ON) 文件：953.24 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
SPD30P06	文件：828 Kbytes Page：9 Pages	丝印：30P06P；Package：TO-252；-60V P-Channel MOSFET Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv/dt rated · 175°C operating temperature 文件：828 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
SPD30P6PG	文件：448.59 Kbytes Page：9 Pages	丝印：30P06P；Package：TO-252；-60V P-Channel MOSFET Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv/dt rated · 175°C operating temperature Product Summary RDS(on) =75 m VDS (V) = -60V ID = -30A (VGS = -10V) (VGS = -10V) 文件：448.59 Kbytes 页数：9 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
SPD30P6PG	文件：828 Kbytes Page：9 Pages	丝印：30P06P；Package：TO-252；-60V P-Channel MOSFET Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv/dt rated · 175°C operating temperature 文件：828 Kbytes 页数：9 Pages	UMW 友台半导体	UMW
LM8S12P03	文件：958.62 Kbytes Page：6 Pages	丝印：30P12；Package：SOP-8；LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：958.62 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

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产品属性

产品编号：
30P5.0-JMDSS-G-1-TF
制造商：
JST Sales America Inc.
类别：
连接器，互连器件 > 阵列，边缘型，夹层式（板对板）
系列：
JMD
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
连接器类型：
插头，外罩触点
针位数：
30
间距：
0.020"（0.50mm）
安装类型：
表面贴装型
特性：
固定焊尾
触头表面处理：
镀金
接合堆叠高度：
5mm
描述：
CONN PLUG 30POS SMD GOLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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